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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDB0260N1007L

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Immagine FDB0260N1007L.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0260N1007L

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Specifiche

Modello di prodotti

FDB0260N1007L
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDB0260N1007L.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

2.6 mOhm @ 27A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 250W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Altri nomi

FDB0260N1007LTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8545pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

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