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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDB016N04AL7
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3231484Immagine FDB016N04AL7.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB016N04AL7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDB016N04AL7
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDB016N04AL7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D²PAK (TO-263)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.6 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    283W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Altri nomi
    FDB016N04AL7-ND
    FDB016N04AL7TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    39 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    11600pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    167nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 160A (Tc) 283W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)

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