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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDB1D7N10CL7
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FDB1D7N10CL7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDB1D7N10CL7
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FDB1D7N10CL7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 700µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D²PAK (TO-263)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.65 mOhm @ 100A, 15V
  • Dissipazione di potenza (max)
    250W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Stato senza piombo
    Lead free
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    11600pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    163nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 15V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    268A (Tc)

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Pagamento
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

Produttori: Fairchild/ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

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