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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDB2572

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2754505

Immagine FDB2572.

Fairchild/ON Semiconductor

FDB2572

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Specifiche

Modello di prodotti

FDB2572
Costruttore / Marca

Fairchild (onsemi)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDB2572.pdf
Tensione - Prova

1770pF @ 25V
Tensione - Ripartizione

D²PAK (TO-263AB)
Vgs (th) (max) a Id

54 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (Max)

6V, 10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

PowerTrench®
Stato RoHS

Digi-Reel®
Rds On (max) a Id, Vgs

4A (Ta), 29A (Tc)
Polarizzazione

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

FDB2572DKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

12 Weeks
codice articolo del costruttore

FDB2572
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

34nC @ 10V
Tipo IGBT

±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 150V 4A (Ta), 29A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

150V
rapporto di capacità

135W (Tc)

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