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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDC021N30
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4129059Immagine FDC021N30.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC021N30

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDC021N30
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    PT8 N 30V/20V, MOSFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FDC021N30.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SuperSOT™-6
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    26 mOhm @ 6.1A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    700mW (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6
  • Altri nomi
    FDC021N30DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    710pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10.8nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.1A (Ta)

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Produttori: 3M
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Descrizione: CAPACITIVE SENSING SOLUTIONS

Produttori: Luminary Micro / Texas Instruments
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Descrizione: CAPACITIVE SENSING SOLUTIONS

Produttori: Luminary Micro / Texas Instruments
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Descrizione: FIBER DOME CLOSURE 654X306MM

Produttori: 3M
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