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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDC645N

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Immagine FDC645N.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC645N

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Specifiche

Modello di prodotti

FDC645N
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDC645N.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SuperSOT™-6
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

26 mOhm @ 6.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi

FDC645NDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1460pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

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