FDD13AN06A0-F085

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Specifiche

Modello di prodotti

FDD13AN06A0-F085
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDD13AN06A0-F085.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-252AA
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

13.5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

115W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

FDD13AN06A0-F085CT
FDD13AN06A0_F085CT
FDD13AN06A0_F085CT-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9.9A (Ta), 50A (Tc)
Numero di parte base

FDD13AN06

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