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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDD13AN06A0_F085
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2316871Immagine FDD13AN06A0_F085.Fairchild/ON Semiconductor

FDD13AN06A0_F085

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDD13AN06A0_F085
  • Costruttore / Marca
    Fairchild (onsemi)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDD13AN06A0_F085.pdf
  • Tensione - Prova
    1350pF @ 25V
  • Tensione - Ripartizione
    TO-252AA
  • Vgs (th) (max) a Id
    13.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Stato RoHS
    Tube
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    9.9A (Ta), 50A (Tc)
  • Polarizzazione
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    FDD13AN06A0_F085
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    29nC @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    60V
  • rapporto di capacità
    115W (Tc)

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Pagamento
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