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FDD8444-F085P

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDD8444-F085P
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FDD8444-F085P.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5.2 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    153W (Ta)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Stato senza piombo
    Lead free
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6195pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    116nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 50A (Ta) 153W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    50A (Ta)

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