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FDD86580-F085

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDD86580-F085
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDD86580-F085.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D-Pak
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    19 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    75W (Tj)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    FDD86580-F085CT
    FDD86580_F085CT
    FDD86580_F085CT-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1430pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 50A (Tc) 75W (Tj) Surface Mount D-Pak
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

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