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Immagine FDFMA2P859T.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDFMA2P859T

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Specifiche

Modello di prodotti

FDFMA2P859T
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDFMA2P859T.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

MicroFET 2x2 Thin
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

120 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi

FDFMA2P859TTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

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