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Immagine FDFME3N311ZT.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDFME3N311ZT

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Specifiche

Modello di prodotti

FDFME3N311ZT
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDFME3N311ZT.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

6-MicroFET (1.6x1.6)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-UFDFN Exposed Pad
Altri nomi

FDFME3N311ZT-ND
FDFME3N311ZTTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

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