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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > FDG6321C-F169
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FDG6321C-F169

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDG6321C-F169
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDG6321C-F169.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V
  • Potenza - Max
    300mW
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 10V, 62pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    25V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 25V 500mA (Ta), 410mA (Ta) 300mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    500mA (Ta), 410mA (Ta)

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