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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDI9409-F085
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359861Immagine FDI9409-F085.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDI9409-F085

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDI9409-F085
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDI9409-F085.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I2PAK (TO-262)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    94W (Tj)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Altri nomi
    FDI9409_F085
    FDI9409_F085-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2980pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 80A (Tc) 94W (Tj) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

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