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Immagine FDMA1032CZ.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMA1032CZ

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMA1032CZ
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMA1032CZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

6-MicroFET (2x2)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

68 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Potenza - Max

700mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-VDFN Exposed Pad
Altri nomi

FDMA1032CZTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.7A, 3.1A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A, 3.1A

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