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Immagine FDMA86265P.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMA86265P

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMA86265P
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMA86265P.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

6-MicroFET (2x2)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

1.2 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-WDFN Exposed Pad
Altri nomi

FDMA86265PTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

150V
Descrizione dettagliata

P-Channel 150V 1A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

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