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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDMA910PZ

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Immagine FDMA910PZ.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMA910PZ

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMA910PZ
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMA910PZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

6-MicroFET (2x2)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

20 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

6-VDFN Exposed Pad
Altri nomi

FDMA910PZCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2805pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 9.4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A (Ta)

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