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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDMC012N03

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Immagine FDMC012N03.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC012N03

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMC012N03
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMC012N03.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

Power33
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

1.23 mOhm @ 35A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta), 64W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

FDMC012N03TR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8183pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 35A (Ta), 185A (Tc) 2.3W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount Power33
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Ta), 185A (Tc)

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