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FDMB506P

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMB506P
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMB506P.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2960pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 6.8A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A (Ta)

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