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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > FDMC8200

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Immagine FDMC8200.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC8200

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMC8200
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMC8200.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-Power33 (3x3)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

20 mOhm @ 6A, 10V
Potenza - Max

700mW, 900mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

FDMC8200TR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 12A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 12A

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