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Immagine FDMC8296.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC8296

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMC8296
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMC8296.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-MLP (3.3x3.3)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

8 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta), 27W (Tc)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

FDMC8296DKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1385pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 12A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 18A (Tc)

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