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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDMC8622

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Immagine FDMC8622.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC8622

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMC8622
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 4A POWER33
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMC8622.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-MLP (3.3x3.3)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

56 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 31W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

FDMC8622CT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

402pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 4A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta), 16A (Tc)

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