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Immagine FDMC86183.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC86183

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMC86183
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMC86183.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

12.8 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

52W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

FDMC86183-ND
FDMC86183OSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1515pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 47A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

47A (Tc)

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