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Immagine FDME1023PZT.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDME1023PZT

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Specifiche

Modello di prodotti

FDME1023PZT
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDME1023PZT.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

6-MicroFET (1.6x1.6)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Potenza - Max

600mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-UFDFN Exposed Pad
Altri nomi

FDME1023PZT-ND
FDME1023PZTTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 600mW Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A

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