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Immagine FDMD86100.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMD86100

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMD86100
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 100V
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMD86100.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-Power 5x6
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

10.5 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max

2.2W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

FDMD86100TR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

10A

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