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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDMS039N08B
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FDMS039N08B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDMS039N08B
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDMS039N08B.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-PQFN (5x6)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    FDMS039N08BCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    34 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7600pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 19.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    19.4A (Ta), 100A (Tc)

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