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FDMS1D4N03S

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDMS1D4N03S
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDMS1D4N03S.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-PQFN (5x6), Power56
  • Serie
    PowerTrench®, SyncFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.09 mOhm @ 38A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    74W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    FDMS1D4N03STR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    39 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    10250pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Schottky Diode (Body)
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 211A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    211A (Tc)

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