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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > FDMS3626S

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Immagine FDMS3626S.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMS3626S

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMS3626S
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMS3626S.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

Power56
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

5 mOhm @ 17.5A, 10V
Potenza - Max

1W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

FDMS3626S-ND
FDMS3626STR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 25A 1W Surface Mount Power56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

17.5A, 25A

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