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FDMS4D0N12C

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDMS4D0N12C
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    PTNG 120V N-FET PQFN56
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FDMS4D0N12C.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 370A
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-PQFN (5x6)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4 mOhm @ 67A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.7W (Ta), 106W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    FDMS4D0N12C-ND
    FDMS4D0N12COSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    39 Weeks
  • Stato senza piombo
    Lead free
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6460pF @ 60V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    82nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    120V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 120V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    18.5A (Ta), 114A (Tc)

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: Fairchild/ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN

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