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Specifiche

Modello di prodotti

FDMS86263P
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMS86263P.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

53 mOhm @ 4.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 104W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

FDMS86263PTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

34 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3905pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

150V
Descrizione dettagliata

P-Channel 150V 4.4A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A (Ta), 22A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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FDMS86200DC

Descrizione:

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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