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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDMS86201
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FDMS86201

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDMS86201
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 120V POWER56
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDMS86201.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-PQFN (5x6)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    11.5 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    FDMS86201DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    34 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2735pF @ 60V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    120V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 120V 11.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    11.6A (Ta), 35A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 150V POWER56

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