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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDPF8D5N10C

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Immagine FDPF8D5N10C.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDPF8D5N10C

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Specifiche

Modello di prodotti

FDPF8D5N10C
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

FET ENGR DEV-NOT REL
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

FDPF8D5N10C.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 130µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220F-3
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

8.5 mOhm @ 76A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 35W (Tc)
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo

Lead free
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2475pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 76A (Tc) 2.4W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

76A (Tc)

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