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2258012Immagine FDS6574A.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6574A

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDS6574A
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDS6574A.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6 mOhm @ 16A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.5W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    FDS6547ACT
    FDS6574ACT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7657pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    105nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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