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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDS6570A

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Immagine FDS6570A.

Fairchild/ON Semiconductor

FDS6570A

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Specifiche

Modello di prodotti

FDS6570A
Costruttore / Marca

Fairchild (onsemi)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDS6570A.pdf
Tensione - Prova

4700pF @ 10V
Tensione - Ripartizione

8-SO
Vgs (th) (max) a Id

7.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (Max)

2.5V, 4.5V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

PowerTrench®
Stato RoHS

Cut Tape (CT)
Rds On (max) a Id, Vgs

15A (Ta)
Polarizzazione

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

FDS6570ACT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

26 Weeks
codice articolo del costruttore

FDS6570A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

66nC @ 5V
Tipo IGBT

±8V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.5V @ 250µA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 20V 15A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

20V
rapporto di capacità

2.5W (Ta)

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