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Immagine FDS8840NZ.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8840NZ

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Specifiche

Modello di prodotti

FDS8840NZ
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDS8840NZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

4.5 mOhm @ 18.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

FDS8840NZTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7535pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

144nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 18.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18.6A (Ta)

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