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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDS8870_G

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Immagine FDS8870_G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8870_G

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Modello di prodotti

FDS8870_G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

INTEGRATED CIRCUIT
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

4.2 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4615pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

112nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta)

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