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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDT86102LZ

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FDT86102LZ

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Specifiche

Modello di prodotti

FDT86102LZ
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.FDT86102LZ.pdf
2.FDT86102LZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-223-4
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

28 mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.2W (Ta)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi

FDT86102LZFSCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

25 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1490pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A (Ta)

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