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FDW2503N

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDW2503N
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDW2503N.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-TSSOP
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    21 mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Potenza - Max
    600mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1082pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.5A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.5A

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