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FDWS86068-F085

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDWS86068-F085
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    NMOS PWR56 100V 5.8 MOHM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FDWS86068-F085.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-DFN (5.1x6.3)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.4 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    214W (Ta)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2220pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 80A (Tc) 214W (Ta) Surface Mount 8-DFN (5.1x6.3)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

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