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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > FDY1002PZ

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Immagine FDY1002PZ.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDY1002PZ

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Specifiche

Modello di prodotti

FDY1002PZ
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDY1002PZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

SC-89-6
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

500 mOhm @ 830mA, 4.5V
Potenza - Max

446mW
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

SOT-563, SOT-666
Altri nomi

FDY1002PZDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

135pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 830mA 446mW Surface Mount SC-89-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

830mA

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