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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDY301NZ_G
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FDY301NZ_G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDY301NZ_G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-89-3
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    625mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-89, SOT-490
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    60pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

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Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F

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Descrizione: MOSFET N-CH 20V 600MA SC89

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