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2067626Immagine FDZ3N513ZT.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDZ3N513ZT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDZ3N513ZT
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDZ3N513ZT.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +5.5V, -0.3V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    4-WLCSP (1x1)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    462 mOhm @ 300mA, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    4-UFBGA, WLCSP
  • Altri nomi
    FDZ3N513ZTCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    85pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Schottky Diode (Body)
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    3.2V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (1x1)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.1A (Ta)

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