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Immagine FGA6560WDF.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA6560WDF

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Specifiche

Modello di prodotti

FGA6560WDF
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FGA6560WDF.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.3V @ 15V, 60A
Condizione di test

400V, 60A, 6 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

25.6ns/71ns
di scambio energetico

2.46mJ (on), 520µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-3PN
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

110ns
Potenza - Max

306W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Trench Field Stop
carica gate

84nC
Descrizione dettagliata

IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

180A
Corrente - collettore (Ic) (max)

120A

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