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Immagine FGA60N60UFDTU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

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Specifiche

Modello di prodotti

FGA60N60UFDTU
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 600V 120A 298W TO3P
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FGA60N60UFDTU.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.4V @ 15V, 60A
Condizione di test

400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

23ns/130ns
di scambio energetico

1.81mJ (on), 810µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-3P
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

47ns
Potenza - Max

298W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

44 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Field Stop
carica gate

188nC
Descrizione dettagliata

IGBT Field Stop 600V 120A 298W Through Hole TO-3P
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

180A
Corrente - collettore (Ic) (max)

120A

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