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Immagine FGB30N6S2DT.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGB30N6S2DT

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Specifiche

Modello di prodotti

FGB30N6S2DT
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 600V 45A 167W TO263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FGB30N6S2DT.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.5V @ 15V, 12A
Condizione di test

390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

6ns/40ns
di scambio energetico

55µJ (on), 100µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-263AB
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

46ns
Potenza - Max

167W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

FGB30N6S2DT_NL
FGB30N6S2DT_NL-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

-
carica gate

23nC
Descrizione dettagliata

IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

108A
Corrente - collettore (Ic) (max)

45A
Numero di parte base

FGB30N6

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