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Immagine FGB5N60UNDF.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGB5N60UNDF

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Specifiche

Modello di prodotti

FGB5N60UNDF
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FGB5N60UNDF.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.4V @ 15V, 5A
Condizione di test

400V, 5A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

5.4ns/25.4ns
di scambio energetico

80µJ (on), 70µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-263AB (D²PAK)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

35ns
Potenza - Max

73.5W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

NPT
carica gate

12.1nC
Descrizione dettagliata

IGBT NPT 600V 10A 73.5W Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

15A
Corrente - collettore (Ic) (max)

10A

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