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FJN3303RBU

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FJN3303RBU
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FJN3303RBU.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    FJN3303

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