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1992180Immagine FJNS4204RBU.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJNS4204RBU

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FJNS4204RBU
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FJNS4204RBU.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92S
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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