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FJP13009TU

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FJP13009TU
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 400V 12A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.FJP13009TU.pdf
    2.FJP13009TU.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    400V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    3V @ 3A, 12A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    100W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    4MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 12A 4MHz 100W Through Hole TO-220-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    8 @ 5A, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    12A
  • Numero di parte base
    FJP13009

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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