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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FQH44N10-F133
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5463877Immagine FQH44N10-F133.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQH44N10-F133

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FQH44N10-F133
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FQH44N10-F133.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    39 mOhm @ 24A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    180W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    FQH44N10_F133
    FQH44N10_F133-ND
    FQH44N10_F133FS
    FQH44N10_F133FS-ND
    FQH44N10F133
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 48A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    48A (Tc)

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Pagamento
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 70A TO-247

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
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